Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET
發(fā)布時間:2025-04-09 09:17:48 瀏覽:140
SD11461 是一款由 Solitron Devices 生產(chǎn)的 N 通道功率 MOSFET,以下是其詳細介紹:
基本特性
電壓與電流:漏源極電壓(VDS)為 100V,連續(xù)漏極電流(ID)在 25°C 時為 35A。
導通電阻:在 25°C、10V 柵源電壓和 30A 漏極電流條件下,漏源導通電阻(RDS(on))典型值為 25mΩ。
封裝:提供 TO-258 和 TO-254 3 引腳封裝,具有低熱阻,適合高功率應用。
性能特點
快速開關能力:優(yōu)化了開關速度,適用于高頻應用,如開關電源和 DC-DC 轉換器。
高功率耗散能力:最大功耗為 147W,能夠承受較高功率。
溫度范圍:工作和存儲溫度范圍為 -55°C 至 +150°C,適合惡劣環(huán)境。
封裝優(yōu)勢:采用密封隔離封裝,具有良好的可靠性和抗干擾能力。
應用領域
電源管理:用于開關模式和共振模式電源、DC-DC 轉換器、功率因數(shù)校正(PFC)電路。
電機驅動:適用于 AC 和 DC 電機驅動,以及機器人和伺服控制系統(tǒng)。
高頻應用:快速開關特性使其適合高頻電源轉換和控制。
電氣特性
閾值電壓:柵極閾值電壓(VGS(th))范圍為 2.0V 至 4.0V。
漏極電流:在 25°C 和 100V 漏源電壓下,漏極電流(IDSS)為 5.0μA。
柵極漏電流:在 ±20V 柵源電壓下,柵極漏電流(IGSS)為 ±100nA。
導通電阻:在 10V 柵源電壓和 30A 漏極電流下,漏源導通電阻(RDS(on))范圍為 20mΩ 至 40mΩ。
電容特性:輸入電容(Ciss)為 4300pF,輸出電容(Coss)為 450pF,反向轉移電容(Crss)為 175pF。
開關時間:開啟延遲時間(td(on))為 15ns,上升時間(tr)為 12ns,關閉延遲時間(td(off))為 47ns,下降時間(tf)為 12ns。
柵極電荷:總柵極電荷(Qg)為 87nC。
二極管特性
源極電流:連續(xù)源極電流(Is)為 35A,脈沖源極電流(sm)為 100A。
正向電壓:在 30A 漏極電流下,源極二極管正向電壓(Vsd)范圍為 1V 至 1.5V。
反向恢復時間:在 10A 漏極電流和 100A/μs 的 di/dt 下,反向恢復時間(trr)范圍為 89ns 至 120ns。
尺寸與封裝
TO-258 封裝:具有較大的散熱片和引腳,適合高功率應用。
TO-254 封裝:尺寸較小,適合緊湊型設計。
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推薦資訊
DATEL 5962-9057001HXC 12位DAC,具有3微秒穩(wěn)定時間,適用于高精度數(shù)模轉換,支持±5mA輸出電流和多種輸出電壓范圍,如±2.5V, 5V,±5V或0至+10V,DDIP封裝,工作溫度-55°C至+125°C,適用于精密控制系統(tǒng)、測試和測量設備等高要求應用。
DETF力傳感器的諧振頻率是其尺寸、電極結構和施加的力的函數(shù)。壓縮或拉伸傳感器會導致相應的頻率變化,如圖2所示。一旦校準,測量頻率的變化就會得到所施加的力。 由于DETF力傳感器基于頻率原理工作,因此它們不受振幅噪聲以及傳感器頻率以外頻率的噪聲的影響。因此,系統(tǒng)中的信號可以在全振幅下工作,從而避免了通常困擾低電平測量的噪聲。
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