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　　Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，具有以下特點(diǎn)：

　　絕對最大額定值(在Tc = +25°C時(shí)，除非另有說明)

　　漏源電壓(Vds)：100 Vdc

　　柵源電壓(Vgs)：± 20 Vdc

　　連續(xù)漏極電流(Ic)：3.5 Adc(在Tc = +25°C時(shí))，2.25 Adc(在Tc = +100°C時(shí))

　　最大功率耗散(Pd)：15 W

　　漏源導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.61 Ω(在Vgs = 10Vdc時(shí))

　　工作和存儲溫度：-55°C至+150°C

　　電氣特性(在TA = +25°C時(shí)，除非另有說明)

　　漏源擊穿電壓(V(BR)DSS)：100 Vdc

　　柵源閾值電壓(V(th)(SS))：2.0 Vdc(最小)，4.0 Vdc(最大)

　　柵極電流(Igss)：± 100 nAdc(在Vds = ± 20V時(shí))，± 200 nAdc(在Vds = ± 80V時(shí))

　　漏極電流(Idss)：25 μAdc(在Vgs = 0V時(shí)，Vds = 80V時(shí))

　　靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.60 Ω(在Vgs = 10V時(shí)，I_D = 2.25A時(shí))，0.61 Ω(在Vgs = 10V時(shí)，I_D = 3.5A時(shí))

　　二極管正向電壓(Vf(DSS))：1.08 V(在Vgs = 0V時(shí)，I_D = 2.25A時(shí))，1.5 V(在Vgs = 0V時(shí)，I_D = 3.5A時(shí))

　　動態(tài)特性

　　柵極電荷(Qg)：8.1 nC(最小)，40 nC(最大)

　　輸入電容(Ciss)：8.1 nF(最小)，45 nF(最大)

　　輸出電容(Coss)：8.1 nF(最小)，45 nF(最大)

　　反向傳輸電容(Crss)：4.5 nF

　　開關(guān)特性

　　開關(guān)時(shí)間測試：I_D = 3.5A，Vgs = 10Vdc

　　傳輸延遲時(shí)間(t_d)：15 ns(最小)，45 ns(最大)

　　上升時(shí)間(t_r)：25 ns(最小)，200 ns(最大)

　　關(guān)閉延遲時(shí)間(t_f)：25 ns(最小)，200 ns(最大)

　　下降時(shí)間(t_f)：180 ns(最大)

　　這款MOSFET適用于需要高電壓和電流處理能力的電子設(shè)備，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動和逆變器等應(yīng)用。Microsemi 是美國高可靠性電子元器件廠商，其軍級二三級管產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于全球高端市場，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，授權(quán)代理銷售Microsemi軍級二三級產(chǎn)品，大量原裝現(xiàn)貨，歡迎咨詢。